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IRFR/U9024N
700
600
V GS
C is s
C rs s
C os s
=
=
=
=
0V , f = 1MH z
C gs + C g d , C ds SH OR TED
C gd
C ds +C gd
20
16
I D = -7 .2A
V DS = -44 V
V DS = -28 V
500
C is s
12
400
300
200
C os s
C rs s
8
4
100
FOR TE ST C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
5
10
SE E FIG U R E 1 3
15 20
25
A
100
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total G ate C harge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
T J = 150 ° C
100
10us
T J = 25 ° C
1
10
1
100us
1ms
10ms
0.1
V GS = 0 V
0.1
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
0.2
0.6
0.9
1.3
1.6
1
10
100
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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